带有减小的击穿电压的金属氧化物半导体场效应管器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件，其特征在于，包含一个漏极、一个覆盖在漏极上的外延层、一个有源区；上述有源区包含：一个沉积在外延层中的主体、一个嵌入主体内的源极、一个延伸进外延层的栅极沟道、一个沉积在栅极沟道中的栅极、一个沿源极和至少一部分主体延伸的接触沟道、一个沉积在接触沟道中的接触电极、一个沉积在接触沟道下面的外延增强部分；外延增强部分的载流子类型与外延层的一致。本发明通过一个沉积在器件的接触沟道下面的外延层增强部分，减小了金属氧化物半导体场效应管器件的击穿电压。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包含一个漏极、一个覆盖在漏极上的外延层、一个有源区；所述有源区包含：一个沉积在外延层中的主体、一个嵌入主体内的源极、一个延伸进外延层的栅极沟道、一个沉积在栅极沟道中的栅极、一个沿源极和至少一部分主体延伸的接触沟道、一个沉积在接触沟道中的接触电极、一个沉积在接触沟道下面的外延增强部分；所述外延增强部分的载流子类型与外延层的一致；一个沉积在接触沟道侧壁上的主体接触植入物；所述主体接触植入物的载流子类型与外延层相反；一个沿接触沟道底部沉积的二极管增强层，而且在所述二极管增强层下面沉积所述外延增强部分。