一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备

摘要

一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备，其特征在于：所所述生长设备在原料熔化阶段通过三温区独立控制，将上温区分为上a温区和上b温区，上温区温度比晶体的熔点高，且上b温区的温度略高于上a温区；所述生长设备中的晶体生长位置，预埋有透明石英光纤；通过测量透明光纤中的氦氖激光的光损耗变化情况，来确定自发成核的籽晶经过筛选后是否单晶化。

主权项

一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备，其特征在于：所述生长设备在原料熔化阶段通过三温区独立控制，将上温区分为上a温区和上b温区，上温区温度比晶体的熔点高，且上b温区的温度略高于上a温区。