| 发明名称 | 快速散热的大功率LED芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种快速散热的大功率LED芯片，其包括由P型半导体和N型半导体形成的PN结以及包覆于N型半导体底部的散热陶瓷，在所述N型半导体的底部设有散热孔，所述散热孔延伸到N型半导体内、且止于PN结。本实用新型通过在PN结的N型半导体上设置散热孔，增大了散热面积，从而可快速的将LED发光芯片产生的热量从内部散发出来，其不仅在工作状态具有良好的散热性能，在热载荷过大时同样能保持良好的散热性能，进而提高大功率LED的使用寿命，可使大功率LED使用寿命提高到7000小时左右，性价比显著提高。 | ||
| 申请公布号 | CN202474029U | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201220076164.9 | 申请日期 | 2012.03.04 |
| 申请人 | 耿京要 | 发明人 | 耿京要;李俊周;耿君社 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 | 代理人 | 杨钦祥 |
| 主权项 | 一种快速散热的大功率LED芯片，其包括由P型半导体（1）和N型半导体（4）形成的PN结（2）以及包覆于N型半导体（4）底部的散热陶瓷（5），其特征在于：在所述N型半导体（4）的底部设有散热孔（3），所述散热孔（3）延伸到N型半导体（4）内、且止于PN结（2）。 | ||
| 地址 | 051530 河北省石家庄市赵县西张家庄村 | ||