| 发明名称 | 一种消除蚀刻图形偏移的方法及装置 | ||
| 摘要 | 一种消除晶片蚀刻图形转移的方法及装置，通过将等离子轰击装置的配件聚焦环的邻近晶片边缘的表面部分磨成倒角，从而减小对等离子轰击的折射使等离子轰击保持方向。本发明能有效地解决蚀刻图形转移的问题，提高了成品率，节约了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101303965B | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN200710040535.1 | 申请日期 | 2007.05.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 汪新学;李先林;杨晨;黄永彬 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H05H1/00(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种消除晶片蚀刻图形偏移的方法，其特征在于：所述消除晶片蚀刻图形转移的方法通过把等离子轰击装置中聚焦环配件邻近晶片边缘的表面磨成倒角以保持等离子轰击的方向，其中，所述倒角的角度范围为15°～80°，所述聚焦环配件邻近所述晶片边缘。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||