包含有机半导体配方的电子短沟道器件

摘要

本发明涉及一种改进的电子器件，像有机场效应晶体管(OFET)，其具有短的源至漏的沟道长度且含有包含半导体粘合剂的有机半导体配方。

主权项

包含栅电极、源电极和漏电极的电子器件，其中所述的源和漏电极通过特定距离即“沟道长度”来分离，所述的器件进一步包含被提供在源和漏电极之间且包含一种或多种有机半导体化合物和有机粘合剂的有机半导体材料，其特征在于沟道长度≤50微米且所述的粘合剂为半导体粘合剂，以及所述器件是有机场效应晶体管。