发明名称 |
一种CMOS集成电路抗辐照加固电路 |
摘要 |
本发明公开了一种CMOS集成电路抗辐照加固电路,该电路包括一个容易发生单粒子翻转的逻辑门电路(100)和一个冗余逻辑门电路(101),逻辑门电路(100)和冗余逻辑门电路(101)共用一个输入端,逻辑门电路(100)的输出端与冗余逻辑门电路(101)的输出端之间连接有两个并联连接的场效应晶体管,一个为n型沟道场效应晶体管(102),一个为p型沟道场效应晶体管(103)。利用本发明,对CMOS集成电路中敏感的逻辑门电路进行抗辐照加固,在集成电路面积和速度之间折中,明显提高了CMOS集成电路抗单粒子翻转的水平。 |
申请公布号 |
CN102118152B |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN200910244519.3 |
申请日期 |
2009.12.30 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 |
分类号 |
H03K19/007(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/007(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种CMOS集成电路抗辐照加固电路,其特征在于,该电路包括一个容易发生单粒子翻转的逻辑门电路(100)和一个冗余逻辑门电路(101),逻辑门电路(100)和冗余逻辑门电路(101)共用一个输入端,逻辑门电路(100)的输出端与冗余逻辑门电路(101)的输出端之间连接有两个并联连接的场效应晶体管,一个为n型沟道场效应晶体管(102),一个为p型沟道场效应晶体管(103);其中,所述n型沟道场效应晶体管(102)和所述p型沟道场效应晶体管(103)的栅漏短接。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |