| 发明名称 | 一种对闸极氧化层进行修复的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种对闸极氧化层进行修复的方法，在刻蚀生成MOS器件的闸极之后，通过快速热氧化反应对闸极氧化层进行修补，在快速热氧化反应制程中，向反应室只通入氮气。本发明的方法在使电子器件达到电性测试标准的同时，极大地降低了集成电路制造中的快速热氧化反应制程的复杂程度和成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101355028B | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN200710044192.6 | 申请日期 | 2007.07.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈泰江;刘喻 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种对闸极氧化层进行修复的方法，在刻蚀生成MOS器件的闸极之后，通过快速热氧化反应对闸极氧化层进行修补，其特征在于，所述闸极氧化层的生长步骤如下：A）通入氢气和氧气，生长闸极氧化层；B）通入一氧化氮，形成硅氧氮化合物的闸极氧化层，在快速热氧化反应制程中，向反应室只通入氮气，所述MOS器件的电性参数包括开启电压、饱和电流、漏电流、闸极氧化层的击穿电压、接触电阻、方块电阻，所述饱和电流的参数合格标准是：核心电压为1.8V的NMOS器件为510uA/um～690uA/um；输入输出电压为3.3V的NMOS器件为510uA/um～690uA/um；核心电压为1.8V的PMOS器件为‑210uA/um～‑290uA/um；输入输出电压为3.3V的PMOS器件为‑240uA/um～‑330uA/um。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||