| 发明名称 | 电容器结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供电容器结构，其中电容器结构包括一导电阵列，该导电阵列包括D1+下层阵列，其包括三个第一D1+导电片以及一个第二D1+导电片；其中，三个第一D1+导电片的两个位于D1+下层阵列的第一行，三个第一D1+导电片的剩余者和第二D1+导电片从左至右地位于D1+下层阵列的第二行，相邻的三个第一D1+导电片互相连接，且三个第一D1+导电片不连接于第二D1+导电片。本发明所提供的电容器结构能增大电极板的重叠面积，可减少长且窄的金属条形接片中不需要的寄生电阻和寄生电感，所以改善了电容器结构的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101673734B | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN200910150655.6 | 申请日期 | 2009.06.23 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 王佑仁 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 葛强;张一军 |
| 主权项 | 一种电容器结构，该电容器结构包括导电阵列，该导电阵列包括：D1+下层阵列，该D1+下层阵列包括三个第一D1+下导电片以及一个第二D1+下导电片；其中，该三个第一D1+下导电片的两个位于该D1+下层阵列的第一行，该三个第一D1+下导电片的剩余者和该第二D1+下导电片从左至右地位于该D1+下层阵列的第二行，相邻的该三个第一D1+下导电片互相连接，且该三个第一D1+下导电片不连接于该第二D1+下导电片；以及D1+上层阵列，位于该D1+下层阵列之上，该D1+上层阵列包括一个第一D1+上导电片和三个第二D1+上导电片；其中，该第一D1+上导电片和该三个第二D1+上导电片的一个从左至右地位于该D1+上层阵列的第一行，该三个第二D1+上导电片的剩余两个位于该D1+上层阵列的第二行，相邻的该三个第二D1+上导电片互相连接，且该第一D1+上导电片不连接于该三个第二D1+上导电片。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 | ||