| 发明名称 | 太阳能电池的选择性发射极结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种太阳能电池的选择性发射极结构，包括p型晶体硅衬底，上表面分布有间断的轻掺杂区，所述轻掺杂区的间断处设有n++重掺杂区。本发明还公开了一种太阳能电池的选择性发射极结构的制备方法，包括如下步骤：提供p型晶体硅片作为半导体衬底；在半导体衬底表面在820至900℃的环境下重扩散形成n++重掺杂区；在n++重掺杂区上形成掩膜阻隔层；利用等离子体干法刻蚀n++重掺杂区，在掩膜阻隔层以外的区域形成轻掺杂区。本发明工艺简单、成本较低。 | ||
| 申请公布号 | CN102709350A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210231884.2 | 申请日期 | 2012.07.05 |
| 申请人 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 发明人 | 陈同银;马杰华;邢国强;缪燕;张海涛;朱召义;王明介;范丽冰 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 夏雪 |
| 主权项 | 一种太阳能电池的选择性发射极结构，包括p型晶体硅衬底，上表面分布有间断的轻掺杂区，所述轻掺杂区的间断处设有n++重掺杂区。 | ||
| 地址 | 230001 安徽省合肥市合肥市新站区工业园东方大道与大禹路交叉口 | ||