发明名称 |
一种基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺 |
摘要 |
本发明属于太阳电池技术领域,具体公开基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺。其具体步骤是:(1)腐蚀处理:硅片通过腐蚀去除表面的机械损伤;(2)将硅片放入室温的一定浓度的碱性溶液中;(3)通过激光局部加热浸泡在强碱溶液中的晶体硅片:(4)形成绒面:用干涉激光扫描整个硅片,直到硅片表面形成均匀的绒面。该制绒工艺不需要太高功率的激光器,节约能源和加工成本;而且其工艺是被控制在光斑以内而对其他位置的硅片影响很小;此外,其制作过程简便快捷;在制绒过程中不会产生有毒气体,避免了对工人的身体健康和环境带来的不利影响;其能大大提升工艺过程的速度,具有很好的产业化前景;能极大地提高电池的效率。 |
申请公布号 |
CN102709163A |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201210165251.6 |
申请日期 |
2012.05.24 |
申请人 |
中山大学 |
发明人 |
沈辉;刘超;梁齐兵 |
分类号 |
H01L21/268(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/268(2006.01)I |
代理机构 |
广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 |
代理人 |
罗毅萍 |
主权项 |
一种基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺,其具体步骤是:(1)腐蚀处理:硅片通过腐蚀去除表面的机械损伤;(2)将硅片放入室温的一定浓度的碱性溶液中;(3)通过激光局部加热浸泡在强碱溶液中的晶体硅片从而发生化学反应:选择合适的激光波长、脉冲频率、激光功率,将激光光束进行均匀化处理,通过分光镜或光栅形成干涉图样;(4)形成绒面:用干涉激光扫描整个硅片,直到硅片表面形成均匀的绒面。 |
地址 |
510006 广东省广州市大学城外环东路132号中山大学工学院C501 |