| 发明名称 | 金属硅化物阻挡层薄膜的沉积方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一种金属硅化物阻挡层薄膜的沉积方法，包括提供衬底；利用次大气压化学气相沉积法在衬底上沉积二氧化硅薄膜；对沉积形成的二氧化硅薄膜进行紫外光照射；取出衬底。本发明的金属硅化物阻挡层薄膜的沉积方法，去除薄膜中多余的Si-H等键，增强了薄膜的性能；其薄膜的氢含量较低，薄膜密度较高，薄膜质量较好，增加了后续SAB蚀刻的工艺窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN102703879A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210158842.0 | 申请日期 | 2012.05.22 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 徐强;毛智彪 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种金属硅化物阻挡层薄膜的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：提供衬底，所述衬底上包括金属硅化物；步骤2：利用次大气压化学气相沉积法在衬底上沉积金属硅化物阻挡层的二氧化硅薄膜；步骤3：对沉积形成的二氧化硅薄膜进行紫外光照射；步骤4：取出衬底。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||