纵向导通的GaN基MISFET 器件及其制作方法

摘要

本发明涉及一种纵向导通的GaN基MISFET器件，包括栅极、源极、漏极、绝缘层、导电GaN衬底和形成于导电GaN衬底上的外延层，所述外延层由下往上依次包括第一n型轻掺杂GaN层，二次生长掩膜介质层，非掺杂GaN层和异质结势垒层，所述外延层中部形成凹槽沟道，凹槽沟道和异质结构势垒层的表面覆盖绝缘层，栅极覆盖于绝缘层上的凹槽沟道处，刻蚀绝缘层两端形成源极区域，源极区域处蒸镀欧姆金属形成与异质结势垒层接触的源极，漏极置于导电GaN衬底背面。本发明制作方法直接采用绝缘介质掩膜层作为电流阻挡层，并在栅极刻蚀区域通过侧向外延技术获得高质量、低导通电阻接入区，实现了一种稳定纵向导通的GaNMISFET器件。

主权项

一种纵向导通的GaN基MISFET器件，包括栅极（10）、源极（8）、漏极（9）、绝缘层（7）、导电GaN衬底（1）和形成于导电GaN衬底（1）上的外延层，所述外延层由下往上依次包括第一n型轻掺杂GaN层（2），二次生长掩膜介质层（3），非掺杂GaN层（4）和异质结势垒层（5），所述外延层中部形成凹槽沟道（12），凹槽沟道（12）和异质结构势垒层（5）的表面覆盖绝缘层（7），栅极（10）覆盖于绝缘层（7）上的凹槽沟道（12）处，刻蚀绝缘层（7）两端形成源极区域，源极区域处蒸镀欧姆金属形成与异质结势垒层（5）接触的源极（8），漏极（9）置于导电GaN衬底（1）背面。