发明名称 |
提高导电性能的晶体硅太阳能电池 |
摘要 |
本发明涉及在晶体硅太阳能电池的技术领域,尤其是一种对EVA膜进行改性的提高导电性能的晶体硅太阳能电池,具有硅片和分别设置在硅片上方与下方的EVA膜,上方的EVA膜与硅片贴合的区域配置有至少一个透明导电层。本发明改善晶体硅太阳能电池正面导电性能,辅助正面银电极导电,提高组件的可靠性,能一定程度上提高组件功率;涂覆的透明高分子导电胶水可以改善粗糙的晶体硅太阳能电池正面与EVA膜表面结合的力学性能,提高了组件的封装可靠性,延长了组件的使用寿命。 |
申请公布号 |
CN102709360A |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201210140699.2 |
申请日期 |
2012.05.08 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
许庭静 |
分类号 |
H01L31/048(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/048(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
王凌霄 |
主权项 |
一种提高导电性能的晶体硅太阳能电池,具有硅片(1)和分别设置在硅片(1)上方与下方的EVA膜(2),其特征在于:所述的上方的EVA膜(2)与硅片(1)贴合的区域配置有至少一个透明导电层(3)。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |