| 发明名称 | 双应力氮化硅蚀刻阻挡层形成方法和半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种双应力氮化硅蚀刻阻挡层形成方法和半导体器件制造方法。根据本发明的双应力氮化硅蚀刻阻挡层形成方法包括：提供具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体器件，并且在所述半导体器件上方形成拉应力层；随后，利用第一光刻胶层将NMOS晶体管上方的拉应力层遮蔽，暴露出PMOS晶体管的拉应力层；随后，去除PMOS晶体管上方的拉应力层；随后，去除第一光刻胶层；在去除第一光刻胶层之后对所述拉应力氮化硅层进行紫外光照射；之后，在所述半导体器上方形成压应力层；此后，利用第二光刻胶层将PMOS晶体管上方的压应力层遮蔽，暴露出NMOS晶体管上方的压应力层；然后，去除NMOS晶体管上方的压应力层；随后，去除第二光刻胶层。 | ||
| 申请公布号 | CN102709179A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210208909.7 | 申请日期 | 2012.06.21 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 徐强 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种双应力氮化硅蚀刻阻挡层形成方法，其特征在于包括：提供具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体器件，并且在所述半导体器件上方形成拉应力层；随后，利用第一光刻胶层将NMOS晶体管上方的拉应力层遮蔽，暴露出PMOS晶体管的拉应力层；随后，去除PMOS晶体管上方的拉应力层；随后，去除第一光刻胶层；在去除第一光刻胶层之后对所述拉应力氮化硅层进行紫外光照射；之后，在所述半导体器上方形成压应力层；此后，利用第二光刻胶层将PMOS晶体管上方的压应力层遮蔽，暴露出NMOS晶体管上方的压应力层；然后，去除NMOS晶体管上方的压应力层；此后，去除第二光刻胶层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||