| 发明名称 | 氮化硅质基板、及使用其的电路基板以及电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够使将由金属形成的构件接合时的接合强度提高的氮化硅质基板、以及可通过使用这种氮化硅质基板而提高可靠性的电路基板和电子装置。所述氮化硅质基板(1)，在由氮化硅质烧结体形成的基板(1a)的主面一体化有含硅的多个粒状体(1b)，从粒状体(1b)的局部延伸出多个以氮化硅为主成分的针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)。在基板(1a)的主面上涂布焊料，在已涂布的焊料上配置电路构件、放热构件，然后通过在经加热而进行接合时使多个粒状体(1b)一体化于基板(1a)的主面，从粒状体(1b)的局部延伸出多个针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)，从而可得到较高的固定效果，因此能够使氮化硅质基板(1)与电路构件、放热构件牢固接合。 | ||
| 申请公布号 | CN102714191A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201180005905.2 | 申请日期 | 2011.01.13 |
| 申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 石峰裕作;森山正幸;小松原健司 |
| 分类号 | H01L23/15(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I;H05K1/03(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种氮化硅质基板，其特征在于，在由氮化硅质烧结体形成的基板的主面一体化有含硅的多个粒状体，从所述粒状体的局部延伸出多个以氮化硅为主成分的针状结晶或柱状结晶。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||