发明名称 5300纳米带通红外滤光片
摘要 本实用新型公开了一种5300纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、ZnS为镀膜材料的第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间,其特征是第一镀膜层由不同厚度的Ge和SiO交互排列,第二镀膜层由不同厚度的Ge和ZnS交互叠加而成,所述第一镀膜层和第二镀膜层最内侧均为Ge。本实用新型得到的5300纳米带通红外滤光片,实现中心波长定位为5300±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,大大提高了信噪比。且成本低,适用于检测NO气体,增加对NO气体的分辨能力,提高检测精度,能够有效的提高分析仪器对NO气体的分辨率,更好的满足实际中的使用要求。
申请公布号 CN202472019U 申请公布日期 2012.10.03
申请号 CN201220090956.1 申请日期 2012.03.12
申请人 杭州麦乐克电子科技有限公司 发明人 吕晶
分类号 G02B5/20(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I 主分类号 G02B5/20(2006.01)I
代理机构 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 代理人 唐迅
主权项 一种5300纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、ZnS为镀膜材料的第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间,其特征是所述第一镀膜层包含由内向外依次排列的122nm厚度的Ge层、295nm厚度的SiO层、91nm厚度的Ge层、367nm厚度的SiO层、88nm厚度的Ge层、251nm厚度的SiO层、373nm厚度的Ge层、320nm厚度的SiO层、126nm厚度的Ge层、446nm厚度的SiO层、124nm厚度的Ge层、85nm厚度的SiO层、220nm厚度的Ge层、328nm厚度的SiO层、97nm厚度的Ge层、598nm厚度的SiO层、175nm厚度的Ge层、235nm厚度的SiO层、222nm厚度的Ge层、550nm厚度的SiO层、161nm厚度的Ge层、251nm厚度的SiO层、278nm厚度的Ge层、1382nm厚度的SiO层、504nm厚度的Ge层、1240nm厚度的SiO层、514nm厚度的Ge层和628nm厚度的SiO层,所述第二镀膜层包含由内向外依次排列的296nm厚度的Ge层、402nm厚度的ZnS层、108nm厚度的Ge层、487nm厚度的ZnS层、272nm厚度的Ge层、510nm厚度的ZnS层、257nm厚度的Ge层、431nm厚度的ZnS层、173nm厚度的Ge层、410nm厚度的ZnS层、261nm厚度的Ge层、529nm厚度的ZnS层、286nm厚度的Ge层、567nm厚度的ZnS层、608nm厚度的Ge层、789nm厚度的ZnS层、339nm厚度的Ge层、607nm厚度的ZnS层、365nm厚度的Ge层、996nm厚度的ZnS层、457nm厚度的Ge层、621nm厚度的ZnS层、338nm厚度的Ge层、790nm厚度的ZnS层、528nm厚度的Ge层和212nm厚度的ZnS层。
地址 310000 浙江省杭州市西湖高新园区(杭州麦乐克电子科技有限公司)