硼酸钆锂晶体的晶体生长方法

摘要

本发明公开了一种硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，涉及晶体生长领域。该方法为将晶体生长原料采用提拉法生长，其中，所述硼酸钆锂晶体的化学式为Li6CexGd1-xB3O9，x的取值范围是0＜x≤0.1；采用提拉法生长时，选用下半部分为弧形或者锥形底部的异型坩埚作为生长坩埚。本发明通过使用异型坩埚及后加热装置，克服了使用普通圆筒型坩埚的提拉法生长硼酸钆锂晶体易出现凹界面或难以长成大直径的缺点。用该方法生长出的晶体具有尺寸大、光学质量高等优点，可用于中子探测，还可以用来探测α、β、γ射线等。

主权项

一种硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，为将晶体生长原料采用提拉法生长，其中，所述硼酸钆锂晶体的化学式为Li6CexGd1‑xB3O9，x的取值范围是0＜x≤0.1；采用提拉法生长时，选用上半部分为圆柱体形且直径相同，下半部分为弧形或者锥形底部的异型坩埚作为生长坩埚；所述晶体生长原料由包括下列步骤的方法制得：A.按配比称量各种原料后混合配料；B.晶体生长原料的合成；所述步骤A中的原料包括含Li元素原料、含B元素原料、含Gd元素原料和含Ce元素原料；所述含Li元素原料选自Li2CO3或LiOH中的一种或多种；所述含B元素原料选自H3BO3或B2O3中的一种或多种；所述含Gd元素原料为Gd2O3；所述含Ce元素原料选自CeO2或Ce(NO3)3中的一种或多种；所述含B元素原料的重量过量1～5％。