| 发明名称 | 碱金属铷化合物作为缓冲层或电子注入层的有机半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明属于有机半导体器件技术领域，具体涉及一种应用碱金属铷化合物作为阴极缓冲层材料或电子注入层N型掺杂材料的有机半导体器件。碱金属铷化合物为RbBr、Rb2CO3、Rb2SO4、RbOH、RbNO3、RbClO4，RbCl、RbI、RbF等。本发明将Rb的化合物形成单一阴极缓冲层或与有机材料共掺杂制作在有机半导体器件中有机层和阴极之间，有效地增强了有机半导体器件的电子注入和传输，进而提高有机半导体器件的各项性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102709475A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210179120.3 | 申请日期 | 2012.06.01 |
| 申请人 | 吉林大学 | 发明人 | 李传南;张健;崔国宇;高志杨;刘川;赵毅 |
| 分类号 | H01L51/10(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人 | 张景林;刘喜生 |
| 主权项 | 一种有机半导体器件，其特征在于：以Rb化合物作为有机半导体器件的阴极缓冲层材料，该阴极缓冲层处于有机半导体器件的有机层和阴极之间。 | ||
| 地址 | 130012 吉林省长春市前进大街2699号 | ||