| 发明名称 | 改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法，其包括：第一步淀积，用于采用0.10～0.16的溅射淀积比磷浓度淀积磷硅玻璃薄层；以及第二步淀积，用于在所述第一步淀积之后，采用0.18～0.22的溅射淀积比再次淀积磷硅玻璃薄层；其中，所述第一步淀积的淀积厚度小于所述第二步淀积的淀积厚度。通过采用两步的淀积方法，在保证栅极图形没有夹断且没有侧壁空洞的情况下，可以将花形轮廓壳的尺寸大为减小；具体地可以使高度降低近50％，壳厚降低近30％。 | ||
| 申请公布号 | CN102701569A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210009089.9 | 申请日期 | 2012.01.12 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 顾梅梅;侯多源;张慧君;陈建维 |
| 分类号 | C03B8/04(2006.01)I | 主分类号 | C03B8/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于包括：第一步淀积，用于采用0.10～0.16的溅射淀积比淀积磷硅玻璃薄层；以及第二步淀积，用于在所述第一步淀积之后，采用0.18～0.22的溅射淀积比再次淀积磷硅玻璃薄层；其中，所述第一步淀积的淀积厚度小于所述第二步淀积的淀积厚度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||