SiGe异质结双极晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种SiGe异质结双极晶体管的制作方法，该方法结合浅槽隔离工艺模块中的所用材料和工艺，形成将外基区提高的高P型掺杂的多晶硅，然后利用选择性外延工艺形成锗硅异质结双极晶体管区的内基区，最后利用介质膜作为发射极和外基区之间的隔离层，淀积发射极而形成具有抬高外基区，外基区与发射极之间是自对准的锗硅异质结双极晶体管。本发明简化了工艺步骤，减少了制作时间并降低了制造成本。

主权项

一种SiGe异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：1)利用常规工艺完成N型集电极区域的形成，包括N+埋层的形成和N外延的淀积，然后进行衬垫氧化膜，氮化硅膜成长；STI光刻和刻蚀；隔离介质膜成长，完成浅槽隔离化学机械研磨；2)利用光刻和刻蚀工艺将外基区的氮化硅膜除掉并将该区域的隔离介质膜部分除掉，之后将光刻胶去除；3)淀积作为外基区的一层高P型掺杂的多晶硅；4)通过化学机械研磨将氮化硅膜和隔离介质膜表面的多晶硅去除；5)将隔离介质膜部分刻蚀掉至一定的高度；6)将氮化硅膜去除；7)先将衬垫氧化膜去掉，然后成长介质膜并通过光刻和刻蚀工艺将高P型掺杂的多晶硅之间的介质膜去除；或者，先成长介质膜并通过光刻和刻蚀工艺将高P型掺杂的多晶硅之间的介质膜去除，然后将高P型掺杂的多晶硅下的衬垫氧化膜去掉；8)选择性成长内基区SiGe或SiGeC；9)成长介质膜并通过光刻和刻蚀工艺将高P型掺杂的多晶硅之间，内基区之上的介质膜去除；10)在发射区成长高N型掺杂的多晶硅，并通过光刻和刻蚀工艺得到多晶硅发射极。