| 发明名称 | 沟槽大功率器件沟道掺杂浓度调节方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽大功率器件沟道掺杂浓度调节方法；包括以下步骤：在初始硅材料上进行初始氧化硅和氮化硅薄膜生长；沟槽刻蚀，栅极氧化层生长；多晶硅栅极填充，多晶硅栅极回刻；P型基区扩散，制作N+源极或发射极；在沟槽刻蚀和栅极氧化层生长的步骤之间增加以下步骤：利用选择性外延工艺在沟槽表面生长外延，外延类型和掺杂浓度可以调节；去除表面的多晶硅。本发明可以实现沟道区域的均匀掺杂，根据需要对器件的开启电压，导通电阻，载流子的迁移率等进行调节，而不会受到器件的击穿电压等的限制。 | ||
| 申请公布号 | CN101969029B | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN200910057651.3 | 申请日期 | 2009.07.27 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 孙大为 |
| 主权项 | 一种沟槽大功率器件沟道掺杂浓度调节方法；包括以下步骤：在初始硅材料上进行初始氧化硅和氮化硅薄膜生长；沟槽刻蚀；栅极氧化层生长，多晶硅栅极填充，多晶硅栅极回刻；P型基区扩散，制作N+源极或发射极；其特征在于，在沟槽刻蚀和栅极氧化层生长的步骤之间增加以下步骤：利用选择性外延工艺在沟槽表面生长多晶硅外延层，外延类型和掺杂浓度可以调节；去除除沟槽表面外的多晶硅外延层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||