| 发明名称 | 多晶硅二极管的串联结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅二极管的串联结构，在版图上相邻两个多晶硅二极管交界处的N型多晶硅和P型多晶硅之上形成多个接触孔引出金属线，所述各接触孔同时位于版图上相邻两个多晶硅二极管交界处的N型多晶硅和P型多晶硅之上，并且所述接触孔上覆盖着第一层金属同所述接触孔引出金属线连接。本发明的多晶硅二极管的串联结构，能在较小版图占用的情况下实现高的静电电流泄放可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102130121B | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201010027315.7 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 高翔;苏庆 |
| 分类号 | H01L27/08(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王江富 |
| 主权项 | 一种多晶硅二极管的串联结构，其特征在于，在版图上相邻两个多晶硅二极管交界处的N型多晶硅和P型多晶硅之上形成多个接触孔引出金属线，所述各接触孔同时位于版图上相邻两个多晶硅二极管交界处的N型多晶硅和P型多晶硅之上，并且所述接触孔上覆盖着第一层金属同所述接触孔引出金属线连接。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||