低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管及其制造方法，该低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管包括壳体及沿壳体两端引出的上、下引线，其还包括设于壳体内的瞬态电压抑制二极管管芯、整流二极管管芯、数个焊料层及两个电极；所述壳体为玻璃可阀合金壳体，瞬态电压抑制二极管管芯与整流二极管管芯之间串联连接，数个焊料层分别设于瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯的两个侧面上，该瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯还分别与一电极相连接，该两电极分别与上、下引线相连接。本发明制作的低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管同时具有瞬态电压抑制二极管和整流管的功能，不仅体积小、重量轻、制作成本较低，且具有低结电容的显著优点，尤其适合在高频线路做保护器件使用。

主权项

一种低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管，包括壳体及沿壳体两端引出的上、下引线，其特征在于，还包括设于壳体内的瞬态电压抑制二极管管芯、整流二极管管芯、数个焊料层及两个电极；所述壳体为玻璃可阀合金壳体，瞬态电压抑制二极管管芯与整流二极管管芯之间串联连接，数个焊料层分别设于瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯的两个侧面上，该瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯还分别与一电极相连接，该两电极分别与上、下引线相连接。