一种测量栅氧化层厚度的方法

摘要

本发明提供一种测量栅氧化层厚度的方法，包括：将测量仪器连接到待测样品的两测试端；在上述两测试端加扫描电压Vg；记录多组上述扫描电压Vg以及其对应的电容值C；取上述扫描电压倒数Vg的倒数1/Vg，形成多个点(1/Vg，C)；作出C-1/Vg图；从上述多个点(1/Vg，C)中选取多个拟合点拟合出直线，并延长上述直线与纵轴交于一点，此交点的坐标为(1/Vg＝0，Cmax)；以及计算上述栅氧化层厚度Tox＝A*ε/Cmax。

主权项

一种测量栅氧化层厚度的方法，其特征是，上述方法包括：将测量仪器连接到待测样品的两测试端；在上述两测试端加扫描电压Vg；记录多组上述扫描电压Vg以及其对应的电容值C；取上述扫描电压Vg的倒数1/Vg，形成多个点(1/Vg，C)；作出C‑1/Vg图；从上述多个点(1/Vg，C)中选取多个拟合点拟合出直线，并延长上述直线与纵轴交于一点，此交点的坐标为(1/Vg＝0，Cmax)；以及计算上述栅氧化层厚度Tox＝A*ε/Cmax，其中上述A为上述栅氧化层的面积，上述ε为上述栅氧化层的电介质常数。