发明名称 |
一种数字离子阱质谱仪 |
摘要 |
本发明公开了一种数字离子阱质谱仪,它含有DSP或者MCU或者FPGA控制器、D/A变换器即数字信号转换为模拟信号的变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器或者互感线圈、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱。 |
申请公布号 |
CN102013381B |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201010528537.7 |
申请日期 |
2010.11.02 |
申请人 |
杨韬 |
发明人 |
杨韬 |
分类号 |
H01J49/42(2006.01)I |
主分类号 |
H01J49/42(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种数字离子阱质谱仪,包括DSP或者MCU或者FPGA控制器、D/A变换器即数字信号转换为模拟信号的变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器或者互感线圈、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱,其特征在于还包括,第一种连接方式:DSP或者MCU或者FPGA与D/A变换器相连接,D/A变换器和功率放大器相连接,功率放大器连接变压器或者互感线圈初级的A引脚,功率MOSFET的一端连接到变压器或者互感线圈的初级的B引脚,功率MOSFET另一端连接到直流电源地,功率MOSFET的控制端连接到DSP或者MCU或者FPGA,离子状态控制装置与DSP或者MCU或者FPGA相连接,离子状态控制装置与离子选择装置相连接,离子选择装置与离子阱相连接,离子状态控制装置与离子阱相连接;第二种连接方式:DSP或者MCU或者FPGA与D/A变换器相连接,D/A变换器和功率放大器相连接,功率放大器连接在由功率MOSFET组成的桥式电路的(1)引脚,功率MOSFET桥式电路输出端连接在变压器或者互感线圈初级的A引脚和B引脚,功率MOSFET桥式电路控制端与MOSFET驱动电路相连接,MOSFET驱动电路与DSP或者MCU或者FPGA相连接,功率MOSFET桥式电路的(2)端连接直流电源地,离子状态控制装置与DSP或者MCU或者FPGA相连接,离子选择装置与离子阱在机械结构上相连接,离子选择装置与DSP或者MCU或者FPGA相连接,离子状态控制装置与离子阱相连接。第三种连接方式:DSP或者MCU与D/A变换器相连接,D/A变换器和功率放大器相连接,功率放大器连接在功率MOSFET的一个引脚,功率MOSFET的另一个引脚连接在变压器或者互感线圈初级的A引脚,功率MOSFET和功率MOSFET驱动器相连接,功率MOSFET驱动器和DSP或者MCU或者FPGA相连接,变压器或者互感线圈初级的B引脚和直流电源地相连接,离子状态控制装置与DSP或者MCU或者FPGA相连接,离子选择装置与离子阱在机械结构上相连接,离子选择装置与DSP或者MCU或者FPGA相连接,离子状态控制装置与离子阱相连接。 |
地址 |
130022 吉林省长春市朝阳区南湖新村中街1555号大禹城邦35栋3单元606号 |