发明名称 |
等离子体源的设计 |
摘要 |
本发明的实施例大体上提供等离子体源设备及该等离子体源设备的使用方法,通过使用电磁能量源,该等离子体源能够在等离子体生成区域中生成自由基及/或气体离子,而等离子体生成区域是对称地定位在磁性核心元件周围。大体而言,等离子体生成区域和磁性核心的方位及形状允许有效率地且均匀地将所传递的电磁能量耦合至布置在等离子体生成区域中的气体。大体而言,等离子体生成区域中形成的等离子体的改善的特征能够改善布置在等离子体生成区域下游的基片或处理腔室的一部分上所执行的沉积、蚀刻及/或清洁工艺。 |
申请公布号 |
CN102714913A |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201080061569.9 |
申请日期 |
2010.11.18 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
D·卢博米尔斯基;J-G·杨;M·L·米勒;J·D·潘松三世;祝基恩 |
分类号 |
H05H1/46(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H05H1/46(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆勍;张欣 |
主权项 |
一种耦接至处理腔室的等离子体源,其特征在于,包含:核心元件,所述核心元件具有第一端、第二端以及核心元件中心轴;第一等离子体块体,所述第一等离子体块体具有一个或多个表面,所述表面至少部分包围第一环形等离子体生成区域,其中所述第一环形等离子体生成区域布置在环绕所述核心元件的第一部分处;以及线圈,所述线圈布置于所述核心元件的一部分上方。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |