| 发明名称 | 双功函数栅极结构 | ||
| 摘要 | 描述了一种具有晶体管的半导体芯片。所述晶体管具有设置在栅极电介质上的栅极电极。所述栅极电极包括设置在所述栅极电介质上的第一栅极材料和设置在所述栅极电介质上的第二栅极材料。第一栅极材料不同于第二栅极材料。第二栅极材料也位于所述栅极电极的源极区域或漏极区域处。 | ||
| 申请公布号 | CN102714207A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201080053547.8 | 申请日期 | 2010.12.02 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | W·M·哈菲兹;A·拉赫曼 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种半导体芯片，包括：晶体管，所述晶体管具有设置在栅极电介质上的栅极电极，所述栅极电极包括设置在所述栅极电介质上的第一栅极材料和设置在所述栅极电介质上的第二栅极材料，所述第一栅极材料不同于所述第二栅极材料，所述第二栅极材料也位于所述栅极电极的源极区域或漏极区域处。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||