发明名称 |
交直流转换整合元件与使用该元件的集成电路 |
摘要 |
本发明提出一种交直流转换整合元件与使用该元件的集成电路。所述集成电路包含:一直流低压电路;以及与该直流低压电路耦接的交直流转换整合元件,该交直流转换整合元件包括四个二极管,其中第一二极管的阴极与第二二极管的阳极相接,此第一相接节点接收一交流电压的一输入,第三二极管的阴极与第四二极管的阳极相接,此第二相接节点接收该交流电压的另一输入,该第一二极管的阳极与第三二极管的阳极相接,此第三相接节点提供一直流电压的低准位,第二二极管的阴极与第四二极管的阴极相接,此第四相接节点提供一直流电压的高准位。 |
申请公布号 |
CN101901806B |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN200910202808.7 |
申请日期 |
2009.05.26 |
申请人 |
奇高电子股份有限公司 |
发明人 |
黄健腾;洪尚铭;蓝正丰 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H02M7/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
陈肖梅;谢丽娜 |
主权项 |
一种交直流转换整合元件,其特征在于,包含:第一传导型态的基板;以及位于基板内的第二传导型态的至少四个阱区,每个第二传导型态的阱区内包括:位于第二传导型态阱区内的第一传导型态的高浓度掺杂区;及位于第二传导型态阱区内的第二传导型态的高浓度掺杂区;其中,每个阱区与其内的第一与第二传导型态的高浓度掺杂区构成二极管,四个阱区构成四个二极管,其中第一二极管的阴极与第二二极管的阳极相接,此第一相接节点接收一交流电压的一输入,第三二极管的阴极与第四二极管的阳极相接,此第二相接节点接收该交流电压的另一输入,该第一二极管的阳极与第三二极管的阳极相接,此第三相接节点提供一直流电压的低准位,第二二极管的阴极与第四二极管的阴极相接,此第四相接节点提供一直流电压的高准位;且其中,此交直流转换整合元件与一直流低压电路制作于同一集成电路中,该第一二极管和第二二极管位于该基板上的一区间,该第三二极管和第四二极管位于该基板上的另一区间,且所述的交直流转换整合元件还包含:设置于上述两区间之间的至少一个MOS晶体管,其栅极接收该交流电压的一输入。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |