单一晶粒尺寸半导体元件封装绝缘批覆结构及批覆方法

摘要

一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆结构及批覆方法，步骤如下：提供一单一晶粒尺寸半导体元件，其具有三组两两相对的侧面，且该三组中的其中一组相对的侧面上分别具有一金属引线区域，此金属引线区域位于晶片用于工艺加工的上下面，而两金属垫分别设置于该金属引线区域上；利用一夹具遮蔽该两金属垫的其中之一及其所对应的该金属引线区域；进行一批覆步骤，以在该单一晶粒尺寸半导体元件上形成一绝缘批覆层；进行一移除步骤，以裸露被该绝缘批覆层所覆盖的该金属垫；以及形成两端电极，其分别覆盖于该两金属垫及金属引线区域，由此可形成一单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆结构，以为元件提供更好的保护功能，并简化元件与基板的固接工艺。

主权项

一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆结构，其特征在于，包括：一单一晶粒尺寸半导体元件，该单一晶粒尺寸半导体元件具有多组两两相对的侧面，且该多组中的其中一组相对的侧面上分别具有一金属引线区域，该一组相对的侧面为晶片用于工艺加工的上下面，而两金属垫分别设置于该金属引线区域上；一绝缘批覆层，其覆盖于该单一晶粒尺寸半导体元件的另外不具有该金属垫的侧面上；两端电极，其分别覆盖于该两金属垫及金属引线区域；以及两可焊接性的连接层，其包覆该两端电极。