| 发明名称 | MIM电容器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MIM电容器及其形成方法，MIM电容器包括：基底；位于所述基底上的第一极板；位于所述第一极板上具有开口的层间介质层，且所述开口暴露出所述第一极板；位于所述开口底部的电容介质层；位于所述电容介质层上的第二极板，且所述第二极板高出所述开口。本技术方案可以减小第二极板与其他器件结构连接时的RC延迟。 | ||
| 申请公布号 | CN102709270A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210164749.0 | 申请日期 | 2012.05.23 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王健鹏 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MIM电容器，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的第一极板；位于所述第一极板上具有开口的层间介质层，且所述开口暴露出所述第一极板；位于所述开口底部的电容介质层；位于所述电容介质层上的第二极板，且所述第二极板高出所述开口。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||