超结VDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超结VDMOS器件的制造方法，包括步骤：利用正面工艺，在N+硅基片的正面形成第一部分交替P型N型薄层，并形成超结VDMOS器件的P阱、栅氧、多晶硅栅、源区以及栅极和源极；将N+硅基片的背面减薄，使N+硅基片的厚度为1微米～6微米；利用背面工艺，在N+硅基片的背面进行有图形的杂质的注入，形成第二部分交替P型N型薄层；之后再完成背面金属淀积形成漏极。本发明在工艺难度不加大的情况下，能够制造出具有更高的高宽比的交替P型N型薄层，提高超结VDMOS器件的耐压性能；同时也能降低成本。

主权项

一种超结VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、利用正面工艺，在N+硅基片的正面形成第一部分交替P型N型薄层，所述第一部分交替P型N型薄层的P型薄层和N型薄层为横向交替排列；并形成所述超结VDMOS器件的P阱、栅氧、多晶硅栅、源区以及栅极和源极；步骤二、将所述N+硅基片的背面减薄，使所述N+硅基片的厚度为1微米～6微米；步骤三、利用背面工艺，在所述N+硅基片的背面进行有图形的杂质的注入，形成第二部分交替P型N型薄层，所述第二部分交替P型N型薄层的P型薄层和N型薄层为横向交替排列，所述第二部分交替P型N型薄层对应的P型薄层和N型薄层分别处于所述第一部分交替P型N型薄层的P型薄层和N型薄层的下方；之后再完成背面金属淀积形成漏极。