| 发明名称 | 形成电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成电子器件的方法，包括：(a)提供包括要被图形化的一层或多层的半导体衬底；(b)在要被图形化的一层或多层上施加第一光敏组合物层，(c)通过图形化的光掩模将该第一层曝光于活化辐射；(d)显影该曝光的第一层以形成第一光刻胶图形；(e)在硬烘烤工艺中热处理所述第一光刻胶图形；(f)采用可有效地使该第一光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该被硬烘烤的第一光刻胶图形；(g)在要被图形化的一层或多层上施加第二光敏组合物的第二层且其与所述第一光刻胶图形的所述表面接触；(h)使所述第二层通过图形化的光掩模曝光于活化辐射；以及(i)显影该被曝光的第二层以形成第二光刻胶图形。 | ||
| 申请公布号 | CN101937838B | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201010256827.0 | 申请日期 | 2010.06.25 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 发明人 | Y·C·裴;T·卡多拉西亚;刘沂 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 樊云飞 |
| 主权项 | 一种形成电子器件的方法，包括：(a)提供包括要被图形化的一层或多层的半导体衬底；(b)在要被图形化的一层或多层上施加第一光敏组合物层，其中该第一光敏组合物包含第一树脂成分和第一光敏成分；(c)通过图形化的光掩模将该第一层曝光于活化辐射；(d)显影该曝光的第一层以形成第一光刻胶图形；(e)在硬烘烤工艺中热处理所述第一光刻胶图形；(f)采用可有效地使该第一光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该被硬烘烤的第一光刻胶图形，其中可有效地使该第一光刻胶图形的表面碱性化的材料包含胺；(g)在要被图形化的一层或多层上施加第二光敏组合物的第二层且其与所述第一光刻胶图形的所述表面接触，其中所述第二光敏组合物包含第二树脂成分和光酸产生剂，且第二光敏组合物是正性的；(h)使所述第二层通过图形化的光掩模曝光于活化辐射；以及(i)显影该被曝光的第二层以形成第二光刻胶图形。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||