一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置

摘要

本发明涉及一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，包括：设于炉体内腔中的保温筒，保温筒的上端部设有上石墨大盖，在上石墨大盖的上表面设有用于密封上石墨大盖与炉壁间间隙的石墨压环；上石墨大盖的中部设有一通孔，导流筒装配在通孔内，所述导流筒包括内筒和外筒，内筒成倒圆锥台形，外筒呈圆柱形，在内筒和外筒之间填充有保温碳毡，内筒和外筒的上端向外侧延展形成环形凸边，导流筒通过该环形凸边嵌装或卡装在上石墨大盖上。本发明所述的直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，增加了石墨压环，改进了导流筒的形状结构，既不影响固液界面平整度和拉晶速度，又能降低硅单晶中氧碳含量。

主权项

一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，其特征在于，包括：设于炉体(41)内腔中的保温筒(7)，保温筒(7)的上端部设有上石墨大盖(5)，在上石墨大盖(5)的上表面设有用于密封上石墨大盖与炉壁间间隙的石墨压环(1)；上石墨大盖(5)的中部设有一通孔(43)，导流筒(44)装配在通孔(43)内，所述导流筒(44)包括内筒(3)和外筒(4)，内筒(3)成倒圆锥台形，外筒(4)呈圆柱形，在内筒(3)和外筒(4)之间填充有保温碳毡(2)，内筒(3)和外筒(4)的上端向外侧延展形成环形凸边，导流筒(44)通过该环形凸边嵌装或卡装在上石墨大盖(5)上；所述石墨压环(1)的中部为倒圆锥台形通孔(31)，所述石墨压环(1)的直径为900mm，其压环环壁(32)的高度h为94～100mm，倒圆锥台形通孔(31)上口的直径φ5为884～890mm，下口的直径φ6为694～700mm。