发明名称 电注入调控三基色单芯片白光发光二极管
摘要 本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED),在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层,或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、蓝光有源层和第二p型欧姆接触层,在衬底的另一侧键合红光LED。该白光LED通过控制各对电极之间的电流、电压的大小来调节蓝光、绿光和红光有源层的发光强度,从而得到各种色度的白光。这相当于在单一芯片有三个各自独立的光源,以电注入调控三基色发出白色光。该器件的电路简单,无需荧光粉,寿命长,具有较高的光电转化效率,将在白光照明、全色显示和光调控领域中发挥重要的作用。
申请公布号 CN101582418B 申请公布日期 2012.10.03
申请号 CN200810111710.6 申请日期 2008.05.16
申请人 北京大学 发明人 张国义;杨志坚;方浩;陶岳彬;桑立雯;李丁;童玉珍
分类号 H01L25/075(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L25/075(2006.01)I
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人 李稚婷
主权项 一种电注入调控三基色的白光发光二极管,在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层,或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、蓝光有源层和第二p型欧姆接触层,在衬底的另一侧键合红光发光二极管,其中:所述绿光有源层为发射波长在绿光波段的量子阱,该量子阱的周期数为1~20,每个周期中,阱的厚度为1nm~5nm,垒的厚度为6nm~20nm;所述蓝光有源层为发射波长在蓝光波段的量子阱,该量子阱的周期数为1~20,每个周期中,阱的厚度为1nm~5nm,垒的厚度为6nm~20nm。
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