发明名称 |
一种MRI磁信号增强器件 |
摘要 |
本发明提供一种MRI磁信号增强器件,该MRI磁信号增强器件包括外壳以及设置在外壳内的三块负磁导率超材料板,相邻两块负磁导率超材料板呈直角,负磁导率超材料板包括基板及多个周期性阵列排布在基板上的人造微结构,三块负磁导率超材料板构成一拱形结构,待测部位置于拱形结构内。本发明能够大大增强MRI成像设备接收线圈反馈待测部位磁信号的能力,可以在不更换MRI成像设备的情况下,提高MRI成像设备的成像质量,具有良好的应用开发前景。 |
申请公布号 |
CN102709706A |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201210133058.4 |
申请日期 |
2012.04.28 |
申请人 |
深圳光启创新技术有限公司 |
发明人 |
刘若鹏;栾琳;郭洁;刘豫青 |
分类号 |
H01Q15/00(2006.01)I;A61B5/055(2006.01)I |
主分类号 |
H01Q15/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种MRI磁信号增强器件,其特征在于,所述MRI磁信号增强器件包括外壳以及设置在外壳内的三块负磁导率超材料板,所述相邻两块负磁导率超材料板呈直角,所述负磁导率超材料板包括基板及多个周期性阵列排布在基板上的人造微结构,所述三块负磁导率超材料板构成一拱形结构,待测部位置于所述拱形结构内。 |
地址 |
518034 广东省深圳市福田区香梅路1061号中投国际商务中心A栋18B |