| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，用以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT稳定性。一种薄膜晶体管，包括形成在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层和源漏电极层，所述源漏电极层包括所述薄膜晶体管的源极和漏极；其中，所述有源层采用金属氧化物半导体，在所述有源层和所述栅绝缘层之间设有金属层，以降低所述有源层和栅绝缘层之间的载流子捕获效应。本发明实施例所提供的方案适用于任意的需要利用薄膜晶体管进行驱动的显示设备。 | ||
| 申请公布号 | CN102709326A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210133357.8 | 申请日期 | 2012.04.28 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 阎长江;李田生;徐少颖;谢振宇;陈旭 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人 | 张颖玲;王黎延 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括形成在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层和源漏电极层，所述源漏电极层包括所述薄膜晶体管的源极和漏极；其特征在于，所述有源层采用金属氧化物半导体，在所述有源层和所述栅绝缘层之间设有金属层，以降低所述有源层和栅绝缘层之间的载流子捕获效应。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 | ||