| 发明名称 | 光电转换元件 | ||
| 摘要 | 一种光电转换元件包括光电转换层以包括层叠的第一金属层、半导体层和第二金属层。此外，第一金属层和第二金属层中的至少一个是具有多个通孔的纳米网状金属或者具有多个彼此分开设置于半导体层上的金属点的点状金属。光电转换层包括长波长吸收层，该长波长吸收层包含的杂质不同于用于半导体层的p型掺杂和n型掺杂的杂质。长波长吸收层位于距离纳米网状金属或者点状金属5纳米内的深度。 | ||
| 申请公布号 | CN102709352A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210054850.0 | 申请日期 | 2012.03.05 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 藤本明;中西务;中村健二;益永久美;浅川钢儿 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;韩宏 |
| 主权项 | 一种光电转换元件，包括光电转换层以包括层叠的第一金属层、半导体层和第二金属层，其中，所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一个是具有多个通孔的纳米网状金属，或者具有多个彼此分开设置于所述半导体层上的金属点的点状金属；所述光电转换层还包括长波长吸收层，所述长波长吸收层包含的杂质不同于用于所述半导体层的p型掺杂和n型掺杂的杂质；以及所述长波长吸收层位于距离所述纳米网状金属或者所述点状金属5纳米的深度内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||