| 发明名称 | 一种具有低操作电压的BE-SONOS结构器件及形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有低操作电压的BE-SONOS结构器件，硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：氧化硅层（31）、渐变氮化硅层（32）、氮氧化硅层（33）、氮化硅层（34）、阻挡氧化层（35）和控制栅（36），所述氧化硅层与硅衬底相接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102709330A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210158901.4 | 申请日期 | 2012.05.22 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 田志 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种具有低操作电压的BE‑SONOS结构器件，其特征在于，硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：氧化硅层（31）、渐变氮化硅层（32）、氮氧化硅层（33）、氮化硅层（34）、阻挡氧化层（35）和控制栅（36），所述氧化硅层与硅衬底相接触。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||