| 发明名称 | 含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造含有多晶硅有源层的薄膜晶体管的方法，方法包括：在基板上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；在源区和漏区上沉积诱导金属；对沉积有诱导金属的有源层进行热处理，使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化；在源区和漏区掺入用于收集诱导金属的第一杂质和用于形成PMOS或NMOS第二杂质；对掺杂后的有源层进行热处理，以激活第二杂质，并使得第一杂质对沟通区的残留诱导金属进行吸收。 | ||
| 申请公布号 | CN102709184A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201110124783.0 | 申请日期 | 2011.05.13 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘政;龙春平;姜春生;成军;石磊;王东方;梁逸南 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 黄灿;赵爱军 |
| 主权项 | 一种制造含有多晶硅有源层的薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：在基板上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；在源区和漏区上沉积诱导金属；对沉积有诱导金属的有源层进行热处理，使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化；在源区和漏区掺入用于收集诱导金属的第一杂质和用于形成PMOS或NMOS第二杂质；对掺杂后的有源层进行热处理，以激活第二杂质，并使得第一杂质对沟通区的残留诱导金属进行吸收。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||