| 发明名称 | 气相沉积装置 | ||
| 摘要 | 本发明的气相沉积装置(1A)具有：配设有使薄膜进行气相沉积的被处理基板(31)的反应炉(20)；具有导入气体的气体导入口(14)、用于使气体扩散的气体分配空间(13)、穿设有用于将气体分配空间(13)的气体供给至反应炉(20)的内部的多个气体流路(15)的喷板(11)的喷头(10)；用于将反应炉(20)的气体向外部排气的排气口(26)。喷头(10)的气体分配空间(13)是以喷板(11)为底面的空间，且具有远离反应炉(20)的排气口(26)一侧的第一空间(131)、和靠近反应炉(20)的排气口(26)一侧的第二空间(132)。第一空间(131)形成得比第二空间(132)高。 | ||
| 申请公布号 | CN102714147A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201180005087.6 | 申请日期 | 2011.06.20 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 若狭加奈子;坂上英和;坪井俊树 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张鑫 |
| 主权项 | 一种气相沉积装置，具有：反应炉，配设有使薄膜进行气相沉积的被处理基板；喷头，具有导入气体的气体导入口、用于使所述气体扩散的气体分配空间、穿设有用于将所述气体分配空间的气体供给至所述反应炉的内部的多个气体流路的喷板；以及排气口，用于将所述反应炉的气体向外部排气，其特征在于，所述喷头的气体分配空间是以所述喷板为底面空间，且具有远离所述反应炉的排气口一侧的第一空间、和靠近所述反应炉的排气口一侧的第二空间，并且所述第一空间形成得比所述第二空间高。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||