具有选择性掺杂的JFET区的功率半导体器件及形成这样的器件的相关方法

摘要

一种半导体开关器件包括：宽带隙漂移层，其具有第一导电类型(例如n型)；以及第一和第二宽带隙阱区，其具有第二导电类型(例如p型)并且位于所述宽带隙漂移层上。所述第一导电类型的第一和第二宽带隙源极/漏极区分别位于所述第一和第二宽带隙阱区上。具有所述第一导电类型的宽带隙JFET区被设置在所述第一和第二阱区之间。该JFET区包括邻近所述第一阱区的侧表面的第一局部JFET区和邻近所述第二阱区的侧表面的第二局部JFET区。所述局部JFET区的掺杂浓度超过所述JFET区的位于所述JFET区的第一和第二局部JFET区之间的中心部分的掺杂浓度。

主权项

一种半导体开关器件，其包括：宽带隙漂移层，其具有第一导电类型；第一宽带隙阱区，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型并且位于所述宽带隙漂移层上；第二宽带隙阱区，其具有所述第二导电类型并且位于所述宽带隙漂移层上；第一宽带隙源极/漏极区，其具有所述第一导电类型并且位于所述第一宽带隙阱区上；第二宽带隙源极/漏极区，其具有所述第一导电类型并且位于所述第二宽带隙阱区上；以及宽带隙JFET区，其具有所述第一导电类型并且位于所述第一和第二阱区之间；其中所述JFET区的邻近所述第一阱区的侧表面的第一局部JFET区和所述JFET区的邻近所述第二阱区的侧表面的第二局部JFET区的的掺杂浓度超过所述JFET区的位于所述JFET区的第一和第二局部JFET区之间的中心部分的掺杂浓度。