一种液冷的IGBT变流装置和制造方法

摘要

本发明涉及一种液冷的IGBT变流装置和制造方法，一种液冷的IGBT变流装置包括氮化硅陶瓷基板、芯片和绝缘支架，所述氮化硅陶瓷基板包括第二铜层、氮化硅陶瓷板和第一铜层，所述第一铜层焊接在氮化硅陶瓷板的正面，所述第二铜层焊接在氮化硅陶瓷板的背面；在绝缘支架上端设有控制和驱动板，氮化硅陶瓷基板、绝缘支架和控制和驱动板共同形成密封腔；所述氮化硅陶瓷基板背面设有散热器。本发明直接以氮化硅陶瓷板作为基板，氮化硅陶瓷基板允许更厚的铜层，进而大幅度提高IGBT变流装置的电流输出能力。

主权项

一种液冷的IGBT变流装置，其特征是，所述IGBT变流装置包括氮化硅陶瓷基板、芯片和绝缘支架，所述氮化硅陶瓷基板包括第二铜层、氮化硅陶瓷板和第一铜层，所述第一铜层焊接在氮化硅陶瓷板的正面，所述第二铜层焊接在氮化硅陶瓷板的背面；在绝缘支架上端设有控制和驱动板，氮化硅陶瓷基板、绝缘支架和控制和驱动板共同形成密封腔；所述氮化硅陶瓷基板背面设有散热器。