| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种能够提高生产率的发光二极管及其制造方法。公开的发光二极管的特征在于包括：发光半导体芯片，形成N型半导体层、活性层及P型半导体层；荧光物质层，为使上述发光半导体芯片输出的光转换成需要的光而具有基于上述发光半导体芯片输出的光的波长的荧光体配合比，涂布于上述发光半导体芯片上面；结合层，配置于上述荧光物质层与上述发光半导体芯片之间，把上述荧光物质层结合于上述发光半导体芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN102714263A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201180004909.9 | 申请日期 | 2011.02.25 |
| 申请人 | 韩国莱太柘晶电株式会社 | 发明人 | 赵炳求 |
| 分类号 | H01L33/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 楼高潮 |
| 主权项 | 一种发光二极管，其特征在于包括：发光半导体芯片，形成N型半导体层、活性层及P型半导体层；荧光物质层，为使上述发光半导体芯片输出的光转换成需要的光而具有基于上述发光半导体芯片输出的光的波长的荧光体配合比，涂布于上述发光半导体芯片上面；结合层，配置于上述荧光物质层与上述发光半导体芯片之间，把上述荧光物质层结合于上述发光半导体芯片。 | ||
| 地址 | 韩国首尔市 | ||