发明名称 |
超高压信号接口电路 |
摘要 |
本发明公开了一种超高压信号接口电路,其特征在于,包括电阻R1、二极管D1和NMOS管M1,输入信号Vi由电阻R1一端输入,电阻R1的另一端连接NMOS管M1的漏极和二极管D1的阴极,二极管D1阳极接地,NMOS管M1的衬底接地,NMOS管M1的源极作为输出端,输出低压信号Vo至核心控制电路。本发明接口电路,输入电压范围高于工艺栅源极限电压、抗静电能力优于普通结构,可直接作为单片插拔接口电路,亦容易作为模块集成于电路中,实现了高压信号到低压信号的转换,并拓宽了输入电压范围提高了抗静电能力。 |
申请公布号 |
CN101895195B |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201010215240.5 |
申请日期 |
2010.07.01 |
申请人 |
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
发明人 |
王勇;姜洪雨 |
分类号 |
H02M3/158(2006.01)I;H02M1/32(2007.01)I |
主分类号 |
H02M3/158(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
朱海临 |
主权项 |
一种超高压信号接口电路,其特征在于,包括电阻R1、二极管D1和NMOS管M1,输入信号Vi由电阻R1一端输入,电阻R1的另一端连接NMOS管M1的漏极和二极管D1的阴极,二极管D1阳极接地,NMOS管M1的衬底接地,NMOS管M1的源极作为输出端,输出低压信号Vo至核心控制电路,NMOS管M1的栅极连接电源电压VDD,栅电位为VDD。 |
地址 |
710054 陕西省西安市太乙路189号 |