发明名称 |
切断方法以及外延晶片的制造方法 |
摘要 |
提供一种切断方法,是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒,一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒,一边使上述钢线行进地压抵晶棒,将其切断成晶片状的方法,其特征在于:预先一边控制切断用浆液的供给温度,将其供给至附凹沟滚筒,一边进行切断晶棒的试验,来调查附凹沟滚筒的轴方向位移与切断用浆液的供给温度的关系,然后由该附凹沟滚筒的轴方向位移与切断用浆液的供给温度的关系来设定切断用浆液的供给温度曲线,并基于该供给温度曲线供给上述切断用浆液,以此一边控制附凹沟滚筒的轴方向位移一边切断晶棒,使要被切断的晶片全部的弯度集中于一方向。以此,可提供一种切断方法,使用线锯切断晶棒时,可简单且再现性良好地集中晶片全部的弯曲于一方向。 |
申请公布号 |
CN101517710B |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN200780034238.4 |
申请日期 |
2007.08.22 |
申请人 |
信越半导体股份有限公司 |
发明人 |
大石弘;仲俣大辅 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01)I;B24B27/06(2006.01)I;B28D5/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
冯志云;郑特强 |
主权项 |
一种切断方法,是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒,一边供给切断用浆液至上述附凹沟滚筒,一边使上述钢线行进地压抵晶棒,将其切断成晶片状的方法,其特征在于:预先一边控制上述切断用浆液的供给温度,将其供给至上述附凹沟滚筒,一边进行切断晶棒的试验,来调查上述附凹沟滚筒的轴方向位移与上述切断用浆液的供给温度的关系,然后由上述附凹沟滚筒的轴方向位移与切断用浆液的供给温度的关系来设定上述切断用浆液的供给温度曲线,此时,将上述切断用浆液的供给温度曲线设为从至少上述晶棒的切入深度达直径的1/2时开始,供给温度渐渐上升的曲线,并基于该供给温度曲线供给上述切断用浆液,以此一边控制上述附凹沟滚筒的轴方向位移一边切断晶棒,使要被切断的晶片全部的弯曲集中于一方向。 |
地址 |
日本东京都 |