发明名称 |
高频RFID标签的整流器电路、标签电路及芯片 |
摘要 |
本发明公开了一种高频RFID标签的整流器电路,在天线的第一端与第二端之间依次串联有多个电阻和NMOS管M3;NMOS管M1的漏极连接天线的第一端;NMOS管M2的漏极连接天线的第二端;所述NMOS管M1和M2的栅极之间还串联两个本征晶体管M4和M5,所述本征晶体管采用二极管接法,本征晶体管M4与M5之间的节点作为整流器的输出端。本发明还公开了一种高频RFID标签电路,包括上述高频RFID标签的整流器电路。本发明还公开了一种高频RFID标签电路芯片,包括上述高频RFID标签电路。本发明通过采用了本征晶体管,使得高频RFID标签电路在能够承受高电压的同时,降低了电路的成本,并且具有较高的灵敏度,增加了RFID的感应距离。 |
申请公布号 |
CN101989811B |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN200910057733.8 |
申请日期 |
2009.08.07 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
朱红卫;周天舒 |
分类号 |
H02M3/155(2006.01)I;G06K19/07(2006.01)I |
主分类号 |
H02M3/155(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
顾继光 |
主权项 |
一种高频RFID标签的整流器电路,其特征在于,在天线的第一端与第二端之间依次串联有电阻R1、电阻R3、电阻R4、NMOS管M3、电阻R5、电阻R6和电阻R2;NMOS管M3的漏极连接电阻R4,源极连接电阻R5,栅极作为VG输入端,所述VG为逻辑信号,分别为高和低;NMOS管M1的漏极连接天线的第一端,栅极连接到电阻R2与R6之间;NMOS管M2的漏极连接天线的第二端,栅极连接到电阻R1与R3之间;NMOS管M1和M2的源极都接地;所述NMOS管M1和M2的栅极之间还串联两个本征晶体管M4和M5,所述本征晶体管采用二极管接法,本征晶体管M4的栅极连接到NMOS管M2的栅极,本征晶体管M5的栅极连接到NMOS管M1的栅极,本征晶体管M4与M5之间的节点作为整流器的输出端,所述天线的两端与地之间各连接一个二极管,所述二极管的阳极接地;所述NMOS管M3受VG控制,当逻辑为低时,M3截止;当VG为高时,M3导通。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |