交叉点二极管阵列及制造交叉点二极管阵列的方法

摘要

本发明涉及形成存储器单元阵列的方法及具有若干柱的存储器单元。个别柱可具有由块体半导体材料形成的半导体立柱及在所述半导体立柱上的牺牲帽。源极区域可在所述柱的列之间，且栅极线沿柱列延伸并与对应源极区域间隔开。每一栅极线沿柱列环绕所述半导体立柱的一部分。可选择性地移除牺牲帽结构以借此形成暴露对应半导体立柱的顶部部分的自对准开口。形成于所述自对准开口中的个别漏极触点电连接到对应半导体立柱。

主权项

一种形成存储器单元阵列的方法，其包括：形成多个柱，其中个别柱具有由半导体材料形成的半导体立柱及在所述半导体立柱上的牺牲帽；在所述柱的列之间形成源极区域；形成多个栅极线，其中个别栅极线沿对应柱列延伸并与对应源极区域间隔开，且其中每一栅极线沿柱列环绕所述半导体立柱的一部分；选择性地移除所述牺牲帽且借此形成暴露对应半导体立柱的顶部部分的自对准开口；及在所述自对准开口中形成电连接到对应半导体立柱的个别漏极触点。