发明名称 |
非晶碳基薄膜与金属基体间梯度过渡层的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种非晶碳基薄膜与金属基体间梯度过渡层的制备方法。本方法采用溅射、反应溅射与射频或微波化学气相沉积法相结合的技术进行制备,所用设备包括一个或两个及以上的金属溅射靶,连接有射频或直流溅射电源;金属靶材为铬、钛、铜、铝、锰、钨、钼、铁、硅、锌、镁、锡、镍、钴、铟、锗和镓中的一种纯金属或含有其中至少一种元素的合金,采用两个或以上金属溅射靶时选用相同或不同的靶材;溅射气体为氩气或氦气;反应气体为室温下饱和蒸汽压在0.1Pa以上的有机化合物或含有氮、硅、硼、磷、硫、卤素或氧元素的化合物或氮气中的一种或两种及以上;金属基体通过样品台接有射频或微波电源,在进行溅射或反应溅射的同时,在金属基体上施加射频或微波功率。采用本方法制备梯度过渡层,可增加膜基结合力与薄膜致密度,从而提高薄膜的承载能力。 |
申请公布号 |
CN102703859A |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201210196791.0 |
申请日期 |
2012.06.15 |
申请人 |
上海大学 |
发明人 |
吴行阳;黄一鸣;华子恺;张建华 |
分类号 |
C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;C23C16/511(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 |
代理人 |
何文欣 |
主权项 |
一种非晶碳基薄膜与金属基体间的梯度过渡层的制备方法,其特征在于采用溅射、反应溅射与射频或微波化学气相沉积法相结合的技术进行制备,所用设备包括一个或两个及以上的金属溅射靶(2),连接有射频或直流溅射电源(1);金属靶材为铬、钛、铜、铝、锰、钨、钼、铁、硅、锌、镁、锡、镍、钴、铟、锗和镓中的一种纯金属或含有其中至少一种元素的合金,采用两个或以上金属溅射靶(2)时,采用相同或不同的靶材;溅射气体(3)为氩气或氦气;反应气体(4)为室温下饱和蒸汽压在0.1Pa以上的有机化合物,或含有氮、硅、硼、磷、硫、卤素或氧元素的化合物,或氮气中的一种或两种及以上;金属基体(7)通过样品台(5)接有射频或微波电源(6),在进行溅射或反应溅射的同时,在金属基体(7)上施加射频或微波功率。 |
地址 |
200444 上海市宝山区上大路99号 |