一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法。本发明提出一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法，通过采用原位等离子刻蚀工艺去除小线宽处沉积侧壁氮化物层形成的悬挂膜，以避免其造成封口影响多晶栅侧壁上氮化物层厚度的生长，同时部分去除大线宽处的侧壁氮化物层的厚度，以减小大、小线宽处区域侧壁氮化物层厚度的差异，从而有效的提高产品的良率。

主权项

一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一半导体结构上，沉积侧墙氧化物层覆盖所述半导体结构的上表面后；步骤S2：沉积侧墙氮化物层覆盖所述侧墙氧化物层的上表面，于小线宽处区域上形成悬挂膜；步骤S3：采用原位等离子刻蚀工艺部分刻蚀所述侧墙氮化物层，以去除悬挂膜；步骤S4：依次重复步骤S2、S3直至最终形成的侧墙氮化物层的厚度符合工艺需求；其中，所述原位等离子刻蚀工艺采用的等离子在反应腔室内产生。