| 发明名称 | 用于MEMS器件的电旁路结构 | ||
| 摘要 | 公开了包括用于互补金属氧化物半导体(CMOS)和/或微机电系统(MEMS)器件的旁路结构的装置以及这种装置的制造方法。示例性装置包括：第一衬底；第二衬底，包括MEMS器件；绝缘体，设置在第一衬底和第二衬底之间；以及电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的一部分的绝缘体层中，其中，电旁路结构与第二衬底中的MEMS器件和第一衬底中包括的任何器件电隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN102701136A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210048824.7 | 申请日期 | 2012.02.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 洪嘉明;王鸿森;陈相甫;李德玺;亚历山大·卡尔尼茨基;戴文川;张贵松;蔡易恒 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种装置，包括：第一衬底；第二衬底，包括MEMS器件；绝缘体层，设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间；以及电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的部分的绝缘体层中，其中，所述电旁路结构与所述第二衬底中的所述MEMS器件和所述第一衬底中的任何器件电隔离。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||